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　　专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，公开了一种MEMS器件及其制备方法，包括：自下而上层叠的基底结构层和可动结构层；所述基底结构层包括基底层及其上方的互连层；所述可动结构层包括运动部件及其侧部的悬臂梁；所述可动结构层包括自下而上层叠的碳化硅层和类金刚石碳膜层；其中，所述碳化硅层相对靠近所述基底结构层。本发明可以提高运动部件和悬臂梁的抗震动惯性应力能力，提升器件的机械稳定性、制造良率及使用可靠性，同时可以加速热量扩散，降低温升对工作稳定性的影响，从而提高器件的工作稳定性和精度。