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　　这时，中国半导体设备行业正经历一场深刻转型，其发展重心已从初期的、以填补空白和实现基本国产化为目标的“量的替代”，转向了对尖端性能、卓越可靠性和高度稳定性的“高品质追求”。国内设备厂商不再满足于满足中低端需求，而是将研发资源和战略目光聚焦于攻克高端制程如先进逻辑、存储芯片制造、突破关键“卡脖子”环节如光刻、薄膜沉积、量测设备，并致力于在核心参数、工艺稳定性、良率表现及长期服务能力上对标甚至超越国际领先水平。

　　半导体前道工艺设备总价值占到设备大类的超过85%，技术门槛更高，投资周期也相对后道封测设备更长。过去几年，我国在刻蚀和薄膜沉积设备领域进展最为突出。国产中高端刻蚀设备已实现量产并进入先进制程产线，技术指标达到国际先进水平，成为国产化率最高的核心设备之一。薄膜沉积设备多点开花，部分机型在28nm及以上成熟制程实现规模化应用，总结来说，我国前道设备呈现“刻蚀沉积领跑，涂胶显影紧随，光刻全力攻坚”的格局。

　　总之，在面临国际技术封锁、高端人才稀缺和并购风险高企的背景下，尹志尧倡导的“阶梯型溢价”并购策略通过“里程碑触发支付”的核心机制，为中国企业提供了一套风险可控、激励相容的整合工具：它大幅降低了技术并购中的“买错”风险并将核心人才绑定与协同目标达成直接挂钩，有效破解了“并购后人才流失”和“整合失败”两大顽疾。同时，其分期支付特性缓解了企业现金流压力，使资源能持续投入自主创新，为频繁的“补链式并购”创造了可持续条件。